主板bios里面的ecc選項(xiàng)？Intel 815E/815EP芯片組主板在此類主板BIOS的高級(jí)芯片組功能設(shè)置頁中通常包括以下內(nèi)存設(shè)置：內(nèi)存奇偶校驗(yàn)/ECC檢查選項(xiàng)：禁用、啟用。如果系統(tǒng)中使用ECC內(nèi)

主板bios里面的ecc選項(xiàng)？

Intel 815E/815EP芯片組主板在此類主板BIOS的高級(jí)芯片組功能設(shè)置頁中通常包括以下內(nèi)存設(shè)置：內(nèi)存奇偶校驗(yàn)/ECC檢查選項(xiàng)：禁用、啟用。如果系統(tǒng)中使用ECC內(nèi)存，則該參數(shù)可以設(shè)置為enabled，否則必須設(shè)置為disabled。ECC代表錯(cuò)誤檢查和更正

關(guān)閉ECC驗(yàn)證功能的方法如下：上電后立即按住刪除鍵，稍后進(jìn)入BIOS界面，用鍵盤方向鍵查找并點(diǎn)擊添加的高級(jí)設(shè)置選項(xiàng)，并在其ECC項(xiàng)下找到芯片組設(shè)置的DRAM ECC mode或cache bus，設(shè)置為disabled，按F10保存，關(guān)閉ECC校驗(yàn)功能。有些主板沒有這個(gè)功能。ECC校驗(yàn)是一種存儲(chǔ)器糾錯(cuò)原理，是一種先進(jìn)的存儲(chǔ)器糾錯(cuò)手段。ECC存儲(chǔ)器是糾錯(cuò)存儲(chǔ)器。簡言之，它具有發(fā)現(xiàn)和糾正錯(cuò)誤的功能。它一般用于高端臺(tái)式機(jī)/服務(wù)器和圖形工作站，使整個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)更加安全穩(wěn)定。

怎么關(guān)閉ECC校驗(yàn)功能？

您的主板和內(nèi)存不支持ECC驗(yàn)證，請(qǐng)關(guān)閉它。通常，ECC驗(yàn)證僅由服務(wù)器的主板和內(nèi)存支持。給你的主板一塊BIOS電池，大概幾元錢。然后您可以進(jìn)入BIOS，并關(guān)閉ECC驗(yàn)證。

高高高手請(qǐng)進(jìn)。無法進(jìn)入的bios ,無法通過自檢.如何屏蔽ecc校驗(yàn)？

您好，感謝您選擇hp產(chǎn)品。在HP z220sff工作站的BIOS中，檢查advanced（高級(jí)）列中的bus（總線）選項(xiàng)，將ECC support（ECC支持）更改為enable（啟用），然后選擇ECC memory function（ECC內(nèi)存功能）。如果沒有此選項(xiàng)，請(qǐng)?jiān)贐IOS中選擇file option（文件選項(xiàng)）、default setup（默認(rèn)設(shè)置）、save change and exit（保存更改并退出），選擇Yes（是）保存并退出，計(jì)算機(jī)將自動(dòng)重新啟動(dòng)，然后重新進(jìn)入BIOS以查看ECC support（ECC支持）選項(xiàng)并啟動(dòng)它。

惠普Z220sff工作站插上ECC內(nèi)存打不開ECC模式？

在advanced chipset參數(shù)“advanced chipset features”中，設(shè)置1。（4） ：此選項(xiàng)可根據(jù)芯片組提供的高級(jí)功能進(jìn)行調(diào)整，使系統(tǒng)性能快速穩(wěn)定。不同bios中芯片級(jí)參數(shù)的具體設(shè)置不同。這里我們選擇英特爾的845d芯片來談?wù)劇Ｈ绻皇煜み@里的選項(xiàng)，請(qǐng)直接按照系統(tǒng)默認(rèn)值進(jìn)行設(shè)置。在BIOS設(shè)置主屏幕中，將突出顯示欄移至“advanced chipset features”（高級(jí)芯片組功能）選項(xiàng)，然后按enter鍵進(jìn)入高級(jí)芯片設(shè)置屏幕。1設(shè)置內(nèi)存讀寫模式（1）DRAM定時(shí)選擇：CPU首先使用內(nèi)存，因此與內(nèi)存相關(guān)的設(shè)置是固定的。此設(shè)定參數(shù)已由廠家測(cè)試確認(rèn)。除非出現(xiàn)異常操作，否則一般不建議更改任何設(shè)置參數(shù)。一般來說，系統(tǒng)的共同問題是不同速度的內(nèi)存一起使用，導(dǎo)致內(nèi)存分配不均。另外，不同工作電壓的混合使用也會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)崩潰。常見的問題是200 MHz DDR DRAM不能超頻到266 MHz，并且CL速度設(shè)置不正確。正常情況下，不需要調(diào)整設(shè)定參數(shù)?？稍O(shè)置的值為200MHz和266MHz。優(yōu)化設(shè)置建議：請(qǐng)根據(jù)自己的記憶進(jìn)行設(shè)置。（2） DRAM RAS#to CAS#delay：用于設(shè)置當(dāng)內(nèi)存接收到CAS信號(hào)來讀/寫數(shù)據(jù)時(shí)要等待多少個(gè)時(shí)鐘。等待時(shí)間越短，整體性能越好。可以設(shè)置的值：2表示等待2個(gè)操作周期；3表示等待3個(gè)操作周期，這是默認(rèn)設(shè)置。優(yōu)化設(shè)置建議：保留系統(tǒng)默認(rèn)設(shè)置。（3） DRAM RAS#預(yù)充電：如果允許RAS在DRAM刷新前進(jìn)行不足的周期充電，則刷新可能失敗，DRAM可能因此丟失數(shù)據(jù)。”“快”可以提供更高的性能，“慢”可以提供更穩(wěn)定的性能?？梢栽O(shè)置的值：2表示等待2個(gè)操作周期；3表示等待3個(gè)操作周期，這是默認(rèn)設(shè)置。優(yōu)化設(shè)置建議：此功能只在有同步內(nèi)存的系統(tǒng)中有效，可以保持系統(tǒng)默認(rèn)設(shè)置。（4） DRAM數(shù)據(jù)完整性模式：該項(xiàng)可以設(shè)置DRAM數(shù)據(jù)的驗(yàn)證模式?？稍O(shè)置值：非ECC，不需要ECC驗(yàn)證，為默認(rèn)設(shè)置；ECC，需要ECC驗(yàn)證。優(yōu)化設(shè)置建議：如果您的DDR有ECC驗(yàn)證功能，請(qǐng)選擇“ECC”選項(xiàng)。