集中刷新，分散刷新，異步刷新三種方式的刷新間隔各為多少？1、不同的刷新方法：1。集中刷新：在指定的刷新周期內(nèi)逐行刷新所有存儲(chǔ)單元。2分散刷新：是指在每個(gè)訪(fǎng)問(wèn)周期內(nèi)完成對(duì)每行存儲(chǔ)單元的刷新。三。異步刷新

集中刷新，分散刷新，異步刷新三種方式的刷新間隔各為多少？

1、不同的刷新方法：1。集中刷新：在指定的刷新周期內(nèi)逐行刷新所有存儲(chǔ)單元。2分散刷新：是指在每個(gè)訪(fǎng)問(wèn)周期內(nèi)完成對(duì)每行存儲(chǔ)單元的刷新。三。異步刷新：沒(méi)有指定固定的刷新周期，每行都會(huì)被分割開(kāi)來(lái)看，只要該行在2ms內(nèi)刷新即可。2、刷新時(shí)間不同。1集中刷新：集中刷新需要0.5*64=32us（64個(gè)訪(fǎng)問(wèn)周期）。在此期間，內(nèi)存僅用于刷新，阻止所有訪(fǎng)問(wèn)操作，剩余的3968個(gè)訪(fǎng)問(wèn)周期用于讀/寫(xiě)或維護(hù)信息。2分布式刷新：刷新周期：64*1US=64us。

什么叫刷新，為什么要刷新，刷新有幾種方法？

動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)信息的原理是利用MOS柵電容臨時(shí)存儲(chǔ)信息。然而，由于漏電流的存在，存儲(chǔ)在柵電容上的電荷不能長(zhǎng)時(shí)間保持不變。因此，為了及時(shí)補(bǔ)充漏充，避免存儲(chǔ)信息的丟失，有必要對(duì)柵極電容器定期補(bǔ)充電荷，這通常稱(chēng)為刷新或再生。常用的刷新方法有三種，一種是集中式刷新，另一種是分散式刷新，第三種是異步刷新。集中刷新：在整個(gè)刷新間隔內(nèi)，重復(fù)讀寫(xiě)周期或前一段時(shí)間的維護(hù)周期。當(dāng)需要刷新操作時(shí)，讀/寫(xiě)或維護(hù)周期將被暫停，整個(gè)內(nèi)存將被逐行刷新。它適用于高速存儲(chǔ)器。分布式刷新：存儲(chǔ)系統(tǒng)周期tc分為兩部分，前半周期tm用于讀寫(xiě)操作或維護(hù)信息，后半周期tr用作刷新操作時(shí)間。這樣，整個(gè)內(nèi)存將每128個(gè)系統(tǒng)周期刷新一次。異步刷新：前兩種方法的組合。學(xué)生可以繪制自己的刷新周期圖。

動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)器為什么要刷新?常用的刷新方式有哪幾種？

刷新原因-由于電容器泄漏導(dǎo)致的DRAM信息衰減需要及時(shí)補(bǔ)充，因此安排了定期刷新操作；常見(jiàn)的刷新方式有三種：集中式、分散式和異步式。R集中式：在最大刷新間隔時(shí)間內(nèi)集中安排一段時(shí)間進(jìn)行刷新；R分散式：在每個(gè)讀寫(xiě)周期后插入一個(gè)刷新周期，沒(méi)有CPU內(nèi)存訪(fǎng)問(wèn)死區(qū)時(shí)間；R異步式：集中式和分散式的折衷。

dram的刷新方式一般有哪兩種？

集中式刷新和分散式隱式刷新

常用刷新方法：教科書(shū)P84圖3.14

①集中式---正常讀寫(xiě)操作和刷新操作分開(kāi)進(jìn)行，刷新集中完成。

特點(diǎn)：有死區(qū)時(shí)間停止讀寫(xiě)操作，適用于高速內(nèi)存

②分布式模式：一個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)周期分為兩個(gè)時(shí)間片，正常讀寫(xiě)操作和刷新操作分時(shí)執(zhí)行。

特點(diǎn)：停止讀寫(xiě)操作沒(méi)有死區(qū)

但降低了系統(tǒng)的運(yùn)行速度

③異步-前兩種方法的結(jié)合，每隔一段時(shí)間刷新一次整個(gè)內(nèi)存，保證整個(gè)內(nèi)存在刷新周期內(nèi)刷新一次。